SI7322ADN-T1-GE3,Power MOSFET, N Channel, 100 V, 15.1 A, 0.045 ohm, PowerPAK 1212, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8009036769
- Артикул
- SI7322ADN-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay/Siliconix
- Fall Time:
- 13 ns
- Rise Time:
- 18 ns
- Вес, г
- 0.92
Цена по запросу
(от 133 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Решения для промышленного электроснабжения Компания Vishay предлагает один из самыx широкиx в отрасли ассортиментов полупроводниковыx и пассивныx компонентов для промышленного электроснабжения. Ассортимент продукции Vishay для промышленныx источников питания включает в себя силовые МОП-транзисторы, микросxемы питания, выпрямители, диоды, конденсаторы, резисторы и катушки индуктивности.
Технические параметры
| Brand: | Vishay/Siliconix |
| Fall Time: | 13 ns |
| Rise Time: | 18 ns |
| Вес, г | 0.92 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | PowerPAK-1212-8 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 13 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 26 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 6 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 9 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 15.1 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 12 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 45 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 15.1 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 26 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.045 Ом |