SI7309DN-T1-E3, MOSFETs -60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006262741
- Артикул
- SI7309DN-T1-E3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Width
- 3.05mm
- Pin Count
- 8
- Вес, г
- 0.29
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 127,11 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Width | 3.05mm |
| Pin Count | 8 |
| Вес, г | 0.29 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Package Type | PowerPAK 1212-8 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | MOSFET |
| Transistor Material | Si |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 3.2 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 14.5 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -65 °C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Maximum Drain Source Resistance | 115 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 3.9 A |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |