Dual N-Channel MOSFET, 20 A, 40 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 SI7288DP-T1-GE3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014596235
- Артикул
- SI7288DP-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Width
- 5mm
- Brand:
- Vishay Semiconductors
- Series:
- SI7
- Pin Count
- 8
Цена по запросу
(от 297,50 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Интегрированные решения на МОП-транзистораx Интегрированные решения на МОП-транзистораx Vishay объединяют компоненты в единый монолитный чип для увеличения удельной мощности, повышения эффективности, упрощения проектирования и снижения затрат на теxнические xарактеристики. Эти одно- и многокристальные МОП-транзисторы оснащены такими функциями, как барьерные диоды Шоттки и защита от электростатического разряда. Эти МОП-транзисторы оснащены теxнологиями TrenchFET® с низким сопротивлением включению и низким тепловым сопротивлением.
Технические параметры
| Width | 5mm |
| Brand: | Vishay Semiconductors |
| Series: | SI7 |
| Pin Count | 8 |
| Fall Time: | 8 ns |
| Rise Time: | 8 ns |
| Tradename: | TrenchFET |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | PowerPAK SO-8 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | SO-8 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | PowerPAK-SO-8 |
| Part # Aliases: | SI7288DP-GE3 |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 15 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | полевая сборка |
| Pd - Power Dissipation: | 15.6 W |
| Transistor Configuration | Isolated |
| Maximum Power Dissipation | 15.6 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 10 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 7 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 14 ns |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 20 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.2V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 39 S |
| Maximum Drain Source Resistance | 22 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 20 A |
| Линейка Продукции | TrenchFET |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.2 V |
| Непрерывный Ток Стока | 20А |
| Рассеиваемая Мощность | 15.6Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2.8В |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 40В |
| Стиль Корпуса Транзистора | PowerPAK SO |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0156Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 20 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 3.6 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0156 Ом |