TrenchFET Dual N-Channel MOSFET, 13.1 A, 100 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8PT Si7252ADP-T1-GE3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017374975
- Артикул
- Si7252ADP-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Series
- TrenchFET
- Pin Count
- 8
- Вес, г
- 1
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 413,91 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальный силовой МОП-транзистор Vishay TrenchFET используется для первичного бокового переключателя постоянного тока, телекоммуникаций / серверов, управления электроприводом и синxронного выпрямления.
Технические параметры
| Series | TrenchFET |
| Pin Count | 8 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | PowerPAK 1212-8PT |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Особенности | TrenchFET |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.0186 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 13.1 A |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 13.1 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |