SI7223DN-T1-GE3, 30V 6A 26.4mOhm@8A,10V 2 P-Channel - MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070138511
- Артикул
- SI7223DN-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Вес, г
- 1
- Power Dissipation (Pd)
- 2.6W
- Total Gate Charge (Qg@Vgs)
- 12.6nC@10V
- Input Capacitance (Ciss@Vds)
- 1.425nF@15V
Цена по запросу
(от 132,51 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Вес, г | 1 |
| Power Dissipation (Pd) | 2.6W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 12.6nC@10V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 1.425nF@15V |
| Continuous Drain Current (Id) | 6A |
| Линейка Продукции | TrenchFET Gen III |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 152pF@15V |
| Непрерывный Ток Стока | 6А |
| Рассеиваемая Мощность | 23Вт |
| Полярность Транзистора | P Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2.5В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 30В |
| Стиль Корпуса Транзистора | PowerPAK 1212 |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.022Ом |