SI7223DN-T1-GE3, Dual MOSFET, P Channel, 30 V, 30 V, 6 A, 6 A, 0.022 ohm
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8000182625
- Артикул
- SI7223DN-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Вес, г
- 0.272
- Структура
- P-Channel
- Power Dissipation (Pd)
- 2.6W
- Особенности
- полевая сборка
Цена по запросу
(от 198 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Вес, г | 0.272 |
| Структура | P-Channel |
| Power Dissipation (Pd) | 2.6W |
| Особенности | полевая сборка |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 12.6nC@10V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 1.425nF@15V |
| Continuous Drain Current (Id) | 6A |
| Линейка Продукции | TrenchFET Gen III |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 152pF@15V |
| Непрерывный Ток Стока | 6А |
| Рассеиваемая Мощность | 23Вт |
| Полярность Транзистора | P Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2.5В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 30В |
| Стиль Корпуса Транзистора | PowerPAK 1212 |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.5V@250uA |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.022Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 6 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0264Ω@10V, 6A |