SI7212DN-T1-E3, MOSFETs 30V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006267385
- Артикул
- SI7212DN-T1-E3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay Semiconductors
- Fall Time:
- 10 ns
- Rise Time:
- 12 ns
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 242,49 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы Si72 МОП-транзисторы Vishay Si72 оснащены теxнологией TrenchFET® power MOSFET для повышения производительности. Моп-транзисторы Vishay Si72 заключены в термоусадочный корпус PowerPak®. Устройства обеспечивают эффективное рассеивание тепла и оптимизированы по ШИМ, что обеспечивает точное управление для различныx применений. Благодаря 100%-ному тестированию Rg и UIS надежность устройств полностью подтверждена.
Технические параметры
| Brand: | Vishay Semiconductors |
| Fall Time: | 10 ns |
| Rise Time: | 12 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Package/Case: | PowerPAK-1212-8 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | SI7212DN-E3 |
| Transistor Type: | 2 N-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 11 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 2.6 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -12 V, +12 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 10 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 30 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 6.8 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 20 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 36 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 600 mV |
| Пороговое напряжение на затворе | 1.5V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.3 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |