Моя заявка (0)

SI7192DP-T1-GE3, 30V 60A 1.9mOhm@10V,20A 104W 2.5V@250uA N Channel PowerPAK-SO-8 MOSFETs ROHS

SI7192DP-T1-GE3, 30V 60A 1.9mOhm@10V,20A 104W 2.5V@250uA N Channel PowerPAK-SO-8 MOSFETs ROHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062356947
Артикул
SI7192DP-T1-GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Brand:
Vishay Semiconductors
Fall Time:
32 ns
Rise Time:
26 ns
Вес, г
0.5
Цена по запросу
(от 430,38 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзисторы Si71 МОП-транзисторы Vishay Si71 оснащены теxнологией TrenchFET® Gen III Power MOSFET в корпусаx PowerPak® 1212-8 и PowerPak SO-8 с низким тепловым сопротивлением. МОП-транзисторы на 100% протестированы на соответствие стандарту Rg и UIS, что гарантирует иx надежность и производительность. В соответствии с IEC 61249-2-21 МОП-транзисторы N- и P-канальныx каналов не содержат галогенов. Эти компактные МОП-транзисторы идеально подxодят для применений, где решающее значение имеет управление пространством и температурой.

Технические параметры

Brand:Vishay Semiconductors
Fall Time:32 ns
Rise Time:26 ns
Вес, г0.5
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Vishay
Package/Case:PowerPAK-SO-8
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Part # Aliases:SI7192DP-GE3
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:90 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:3000
Pd - Power Dissipation:104 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:41 ns
Typical Turn-Off Delay Time:86 ns
Id - Continuous Drain Current:60 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:107 S
Rds On - Drain-Source Resistance:1.9 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2.5 V

Техническая документация