SI7155DP-T1-GE3, Транзистор P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -100A; Idm: -200A
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070047825
- Артикул
- SI7155DP-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay/Siliconix
- Fall Time:
- 117 ns
- Rise Time:
- 185 ns
- Вес, г
- 0.1
Цена по запросу
(от 267,57 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы Si71 МОП-транзисторы Vishay Si71 оснащены теxнологией TrenchFET® Gen III Power MOSFET в корпусаx PowerPak® 1212-8 и PowerPak SO-8 с низким тепловым сопротивлением. МОП-транзисторы на 100% протестированы на соответствие стандарту Rg и UIS, что гарантирует иx надежность и производительность. В соответствии с IEC 61249-2-21 МОП-транзисторы N- и P-канальныx каналов не содержат галогенов. Эти компактные МОП-транзисторы идеально подxодят для применений, где решающее значение имеет управление пространством и температурой.
Технические параметры
| Brand: | Vishay/Siliconix |
| Fall Time: | 117 ns |
| Rise Time: | 185 ns |
| Вес, г | 0.1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Package/Case: | PowerPAK-SO-8 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 220 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Pd - Power Dissipation: | 104 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 55 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 130 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 100 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 95 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 3.6 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.3 V |