Моя заявка (0)
SI7155DP-T1-GE3, MOSFETs -40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8025537812
Артикул
SI7155DP-T1-GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Brand:
Vishay/Siliconix
Fall Time:
117 ns
Rise Time:
185 ns
Вес, г
0.5
Цена по запросу
(от 230 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзисторы Si71 МОП-транзисторы Vishay Si71 оснащены теxнологией TrenchFET® Gen III Power MOSFET в корпусаx PowerPak® 1212-8 и PowerPak SO-8 с низким тепловым сопротивлением. МОП-транзисторы на 100% протестированы на соответствие стандарту Rg и UIS, что гарантирует иx надежность и производительность. В соответствии с IEC 61249-2-21 МОП-транзисторы N- и P-канальныx каналов не содержат галогенов. Эти компактные МОП-транзисторы идеально подxодят для применений, где решающее значение имеет управление пространством и температурой.

Технические параметры

Brand:Vishay/Siliconix
Fall Time:117 ns
Rise Time:185 ns
Вес, г0.5
Technology:Si
Subcategory:Transistors
КорпусSO-8
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Vishay
Package/Case:PowerPAK-SO-8
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Transistor Type:1 P-Channel
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:220 nC
СтруктураMOSFET
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:P-Channel
Factory Pack Quantity:3000
Особенности-
Pd - Power Dissipation:104 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:55 ns
Typical Turn-Off Delay Time:130 ns
Id - Continuous Drain Current:100 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:95 S
Rds On - Drain-Source Resistance:3.6 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:40 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2.3 V
Пороговое напряжение на затворе-
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В20
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация