SI7153DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062308943
- Артикул
- SI7153DN-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Вес, г
- 0.1
- Серия
- SI7
- Технология
- Si
- Вид монтажа
- SMD/SMT
Цена по запросу
(от 41 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор -30V Vds 25V Vgs PowerPAK 1212-8
Технические параметры
| Вес, г | 0.1 |
| Серия | SI7 |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Power Dissipation (Pd) | 52W |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 93nC@10V |
| Торговая марка | Vishay Semiconductors |
| Упаковка / блок | PowerPAK-1212-8 |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 3.6nF@15V |
| Continuous Drain Current (Id) | 18A |
| Канальный режим | Enhancement |
| Qg - заряд затвора | 93 nC |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 52 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 18 A |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 25 V, + 25 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 15 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.5 V |