Моя заявка (0)

SI7149ADP-T1-GE3, Транзистор P-МОП, полевой, 30В 50A 5,0Вт 0,0052Ом

SI7149ADP-T1-GE3, Транзистор P-МОП, полевой, 30В 50A 5,0Вт 0,0052Ом

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8023130657
Артикул
SI7149ADP-T1-GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Width
5mm
Pin Count
8
Вес, г
0.18
Channel Mode
Enhancement
Цена по запросу
(от 120 ₽)
Минимальный заказ: 25 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор P-МОП, полевой, 30В 50A 5,0Вт 0,0052Ом

Технические параметры

Width5mm
Pin Count8
Вес, г0.18
Channel ModeEnhancement
Channel TypeP
Package TypePowerPAK SO-8
Mounting TypeSurface Mount
СтруктураP-МОП
Transistor MaterialSi
Особенности-
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation48 W
Typical Gate Charge @ Vgs90 nC @ 10 V
Maximum Gate Source Voltage-25 V, +25 V
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage30 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Minimum Gate Threshold Voltage1.2V
Maximum Drain Source Resistance9.5 mΩ
Maximum Continuous Drain Current18 A
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А50
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт5
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0, 0052Ом

Техническая документация