Моя заявка (0)
Транзистор полевой SI7137DP-T1-GE3

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062671577
Артикул
SI7137DP-T1-GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Brand:
Vishay Semiconductors
Fall Time:
110 ns
Rise Time:
150 ns
Вес, г
1
Цена по запросу
(от 750 ₽)
Минимальный заказ: 6 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Решения для промышленного электроснабжения Vishay Industrial Power Solutions предлагает широкий выбор полупроводниковыx и пассивныx компонентов для промышленного электроснабжения. Ассортимент продукции Vishay для промышленныx источников питания включает в себя силовые МОП-транзисторы, микросxемы питания, выпрямители, диоды, конденсаторы, резисторы и катушки индуктивности.

Технические параметры

Brand:Vishay Semiconductors
Fall Time:110 ns
Rise Time:150 ns
Вес, г1
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Vishay
Package/Case:PowerPAK-SO-8
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Part # Aliases:SI7137DP-GE3
Transistor Type:1 P-Channel
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:390 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:P-Channel
Factory Pack Quantity:3000
Pd - Power Dissipation:104 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-12 V, +12 V
Typical Turn-On Delay Time:100 ns
Typical Turn-Off Delay Time:230 ns
Id - Continuous Drain Current:60 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:95 S
Rds On - Drain-Source Resistance:1.95 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1.4 V

Техническая документация