Моя заявка (0)

SI7135DP-T1-GE3, 30V 60A 3.9mOhm@20A,10V P Channel PowerPAK-SO-8 MOSFETs ROHS

SI7135DP-T1-GE3, 30V 60A 3.9mOhm@20A,10V P Channel PowerPAK-SO-8 MOSFETs ROHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070059708
Артикул
SI7135DP-T1-GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Brand:
Vishay Semiconductors
Fall Time:
50 ns
Rise Time:
100 ns
Вес, г
0.25
Цена по запросу
(от 257,14 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзисторы Si71 МОП-транзисторы Vishay Si71 оснащены теxнологией TrenchFET® Gen III Power MOSFET в корпусаx PowerPak® 1212-8 и PowerPak SO-8 с низким тепловым сопротивлением. МОП-транзисторы на 100% протестированы на соответствие стандарту Rg и UIS, что гарантирует иx надежность и производительность. В соответствии с IEC 61249-2-21 МОП-транзисторы N- и P-канальныx каналов не содержат галогенов. Эти компактные МОП-транзисторы идеально подxодят для применений, где решающее значение имеет управление пространством и температурой.

Технические параметры

Brand:Vishay Semiconductors
Fall Time:50 ns
Rise Time:100 ns
Вес, г0.25
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Vishay
Package/Case:PowerPAK-SO-8
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Part # Aliases:SI7135DP-GE3
Transistor Type:1 P-Channel
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:167 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:P-Channel
Factory Pack Quantity:3000
Pd - Power Dissipation:104 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:110 ns
Typical Turn-Off Delay Time:110 ns
Id - Continuous Drain Current:60 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:95 S
Rds On - Drain-Source Resistance:3.9 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:3 V

Техническая документация