SI7121DN-T1-GE3, 30V 16A 18mOhm@10V,10A P Channel PowerPAK1212-8 MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8026381895
- Артикул
- SI7121DN-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Width
- 3.15mm
- Brand:
- Vishay Semiconductors
- Pin Count
- 8
- Tradename:
- TrenchFET
Цена по запросу
(от 51,19 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Width | 3.15mm |
| Brand: | Vishay Semiconductors |
| Pin Count | 8 |
| Tradename: | TrenchFET |
| Вес, г | 3 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Package Type | PowerPAK 1212-8 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | PowerPAK-1212-8 |
| Part # Aliases: | SI7121DN-GE3 |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 50 nC |
| Структура | P-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 27.8 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 27.8 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 33 nC @ 10 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -25 V, +25 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -25 V, +25 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -50 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 18 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Minimum Operating Temperature: | -50 C |
| Maximum Drain Source Resistance | 26 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 9.6 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 26 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.5V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 16 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 18мОм |