SI7119DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -200В; -1,2А; Idm: -5А; 33Вт
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017566040
- Артикул
- SI7119DN-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Вес, г
- 0.03
- Серия:
- SI7
- Структура
- MOSFET
- Технология:
- Si
Цена по запросу
(от 110,47 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Вес, г | 0.03 |
| Серия: | SI7 |
| Структура | MOSFET |
| Технология: | Si |
| Вид монтажа: | SMD/SMT |
| Время спада: | 12 ns |
| Особенности | - |
| Тип продукта: | MOSFET |
| Конфигурация: | Single |
| Подкатегория: | MOSFETs |
| Производитель: | Vishay |
| Торговая марка: | Vishay Semiconductors |
| Упаковка / блок: | PowerPAK-1212-8 |
| Канальный режим: | Enhancement |
| Тип транзистора: | 1 P-Channel |
| Qg - заряд затвора: | 25 nC |
| Время нарастания: | 11 ns |
| Категория продукта: | МОП-транзистор |
| Количество каналов: | 1 Channel |
| Полярность транзистора: | P-Channel |
| Pd - рассеивание мощности: | 52 W |
| Другие названия товара №: | SI7119DN-GE3 |
| Id - непрерывный ток утечки: | 3.8 A |
| Коммерческое обозначение: | TrenchFET |
| Размер фабричной упаковки: | 3000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток: | -20 V, +20 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 1.5V@250uA |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток: | 1.05 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток: | 200 V |
| Минимальная рабочая температура: | -50 C |
| Максимальная рабочая температура: | +150 C |
| Типичное время задержки выключения: | 27 ns |
| Типичное время задержки при включении: | 9 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток : | 2 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 33 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 1.2 |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.: | 4 S |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 33 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |