Моя заявка (0)
SI7116BDN-T1-GE3, Транзистор

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8044383087
Артикул
SI7116BDN-T1-GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Brand:
Vishay/Siliconix
Series
TrenchFET
Pin Count
8
Fall Time:
5 ns
Цена по запросу
(от 750 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальный силовой МОП-транзистор Vishay TrenchFET используется для первичного бокового переключателя постоянного тока, телекоммуникаций / серверов, управления электроприводом и синxронного выпрямления.

Технические параметры

Brand:Vishay/Siliconix
SeriesTrenchFET
Pin Count8
Fall Time:5 ns
Rise Time:5 ns
Tradename:TrenchFET
Вес, г1
Technology:Si
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypePowerPAK 1212-8PT
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Vishay
Mounting TypeSurface Mount
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:PowerPAK-1212-8PT
Transistor Type:TrenchFET Gen IV Power MOSFET
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:31.4 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor MaterialSi
Transistor Polarity:N-Channel
Pd - Power Dissipation:62.5 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip1
Typical Turn-On Delay Time:10 ns
Maximum Drain Source Voltage40 V
Typical Turn-Off Delay Time:25 ns
Id - Continuous Drain Current:65 A
Maximum Gate Threshold Voltage2.5V
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:80 S
Maximum Drain Source Resistance0.0074 Ω
Maximum Continuous Drain Current65 A
Rds On - Drain-Source Resistance:7.4 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:40 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2.5 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000

Техническая документация