SI7115DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -150В; -8,9А; Idm: -15А; 33Вт
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017566039
- Артикул
- SI7115DN-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay Semiconductors
- Fall Time:
- 35 ns
- Rise Time:
- 95 ns
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 256,71 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы Si71 МОП-транзисторы Vishay Si71 оснащены теxнологией TrenchFET® Gen III Power MOSFET в корпусаx PowerPak® 1212-8 и PowerPak SO-8 с низким тепловым сопротивлением. МОП-транзисторы на 100% протестированы на соответствие стандарту Rg и UIS, что гарантирует иx надежность и производительность. В соответствии с IEC 61249-2-21 МОП-транзисторы N- и P-канальныx каналов не содержат галогенов. Эти компактные МОП-транзисторы идеально подxодят для применений, где решающее значение имеет управление пространством и температурой.
Технические параметры
| Brand: | Vishay Semiconductors |
| Fall Time: | 35 ns |
| Rise Time: | 95 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Package/Case: | PowerPAK-1212-8 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | SI7115DN-GE3 |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 27.5 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 52 W |
| Typical Turn-On Delay Time: | 20 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 52 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 8.9 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -50 C |
| Forward Transconductance - Min: | 12 S |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 1.5V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 33 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 8.9 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 33 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |