SI7114ADN-T1-GE3, Power MOSFET, N Channel, 30 V, 18.3 A, 0.01 ohm, PowerPAK 1212, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8009036766
- Артикул
- SI7114ADN-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- PPAP
- No
- Mounting
- Surface Mount
- ECCN (US)
- EAR99
- Packaging
- Tape and Reel
Цена по запросу
(от 161 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
Технические параметры
| PPAP | No |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 8 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | No Lead |
| Вес, г | 0.001 |
| Серия | SI7 |
| PCB changed | 8 |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single Quad Drain Triple Source |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | PowerPAK 1212 |
| Process Technology | TrenchFET |
| Структура | N-Channel |
| Технология | Si |
| Standard Package Name | PowerPAK 1212 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Power Dissipation (Pd) | 3.7W;39W |
| Typical Fall Time (ns) | 10 |
| Typical Rise Time (ns) | 20 |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 32nC@10V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Vishay Semiconductors |
| Упаковка / блок | PowerPAK-1212-8 |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 1.23nF@15V |
| Continuous Drain Current (Id) | 35A |
| Канальный режим | Enhancement |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 3700 |
| Qg - заряд затвора | 32 nC |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 21 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 10.2@4.5V|21@10V |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Typical Output Capacitance (pF) | 275 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 14 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 30 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 20 |
| Typical Gate to Drain Charge (nC) | 3.2 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 2.5 |
| Typical Gate to Source Charge (nC) | 3.9 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 18 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 1230@15V |
| Typical Reverse Recovery Charge (nC) | 20 |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 7.5@10V |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 39 W |
| Typical Drain Source Resistance @ 25°C (mOhm) | 8.1@4.5V|6.2@10V |
| Другие названия товара № | SI7114ADN-GE3 |
| Id - непрерывный ток утечки | 35 A |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 7.5 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.5V@250uA |
| Минимальная рабочая температура | 50 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.2 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 18.3 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 3.7 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 7.5mΩ@18A, 10V |