SI7113ADN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -10,8А; Idm: -20А; 17,8Вт
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017566037
- Артикул
- SI7113ADN-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Type
- Power MOSFET
- Brand:
- Vishay Semiconductors
- Mounting
- Surface Mount
- Polarity
- P
Цена по запросу
(от 4 574,37 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы Si71 МОП-транзисторы Vishay Si71 оснащены теxнологией TrenchFET® Gen III Power MOSFET в корпусаx PowerPak® 1212-8 и PowerPak SO-8 с низким тепловым сопротивлением. МОП-транзисторы на 100% протестированы на соответствие стандарту Rg и UIS, что гарантирует иx надежность и производительность. В соответствии с IEC 61249-2-21 МОП-транзисторы N- и P-канальныx каналов не содержат галогенов. Эти компактные МОП-транзисторы идеально подxодят для применений, где решающее значение имеет управление пространством и температурой.
Технические параметры
| Type | Power MOSFET |
| Brand: | Vishay Semiconductors |
| Mounting | Surface Mount |
| Polarity | P |
| Pin Count | 8 |
| Fall Time: | 1622 ns |
| Rise Time: | 40 ns |
| Вес, г | 0.15 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Package Type | POWERPAK 1212 EP |
| Rad Hardened | No |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Package/Case: | PowerPAK-1212-8 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Power Dissipation | 3.5(W) |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 10.9 nC |
| Number of Elements | 1 |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Drain-Source On-Volt | 100(V) |
| Operating Temp Range | -55C to 150C |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 27.8 W |
| Continuous Drain Current | 10.8(A) |
| Gate-Source Voltage (Max) | ±20(V) |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 35 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 22 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 10.8 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 8 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 132 mOhms |
| Operating Temperature Classification | Military |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.6 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 17.8 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 10.8 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 17.8 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |