Моя заявка (0)

SI7106DN-T1-E3, 20V 12.5A 6.2mOhm@4.5V,19.5A 1.5W 1.5V@250uA N Channel PowerPAK1212-8 MOSFETs ROHS

SI7106DN-T1-E3, 20V 12.5A 6.2mOhm@4.5V,19.5A 1.5W 1.5V@250uA N Channel PowerPAK1212-8 MOSFETs ROHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017600696
Артикул
SI7106DN-T1-E3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Brand
Vishay/Siliconix
Series
SI7
Packaging
Cut Tape or Reel
Tradename
TrenchFET
Цена по запросу
(от 216 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор 20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8

Технические параметры

BrandVishay/Siliconix
SeriesSI7
PackagingCut Tape or Reel
TradenameTrenchFET
TechnologySi
Вес, г0.18
Длина3.3 mm
СерияSI7
SubcategoryMOSFETs
ManufacturerVishay
Product TypeMOSFET
Высота1.04 mm
Ширина3.3 mm
Mounting StyleSMD/SMT
Package / CasePowerPAK-1212-8
Product CategoryMOSFET
СтруктураN-Channel
ТехнологияSi
Factory Pack Quantity3000
Вид монтажаSMD/SMT
Power Dissipation (Pd)1.5W
Особенности-
Тип продуктаMOSFET
ПодкатегорияMOSFETs
Total Gate Charge (Qg@Vgs)27nC@4.5V
Торговая маркаVishay / Siliconix
Упаковка / блокPowerPAK-1212-8
Continuous Drain Current (Id)12.5A
Категория продуктаМОП-транзистор
Другие названия товара №SI7106DN-E3
Коммерческое обозначениеTrenchFET
Размер фабричной упаковки3000
Пороговое напряжение на затворе1.5V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А12.5
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт1.5
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)6.2mΩ@4.5V, 19.5A

Техническая документация