SI7104DN-T1-E3, MOSFETs 12V 35A
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062952418
- Артикул
- SI7104DN-T1-E3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Вес, г
- 0.93
- Длина
- 3.3 mm
- Серия
- SI7
- Высота
- 1.04 mm
Цена по запросу
(от 292,31 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 12V 35A
Технические параметры
| Вес, г | 0.93 |
| Длина | 3.3 mm |
| Серия | SI7 |
| Высота | 1.04 mm |
| Ширина | 3.3 mm |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Vishay Semiconductors |
| Упаковка / блок | PowerPAK-1212-8 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Qg - заряд затвора | 70 nC |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 52 W |
| Другие названия товара № | SI7104DN-E3 |
| Id - непрерывный ток утечки | 35 A |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 12 V, + 12 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 3.7 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 12 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 600 mV |