SI7101DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -35А; Idm: -80А; 33Вт
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017566036
- Артикул
- SI7101DN-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Вес, г
- 2
- Длина
- 3.3 mm
- Серия
- SI7
- Высота
- 1.04 mm
Цена по запросу
(от 98,53 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор -30V Vds 25V Vgs PowerPAK 1212-8
Технические параметры
| Вес, г | 2 |
| Длина | 3.3 mm |
| Серия | SI7 |
| Высота | 1.04 mm |
| Ширина | 3.3 mm |
| Структура | MOSFET |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 8 ns |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Vishay Semiconductors |
| Упаковка / блок | PowerPAK-1212-8 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 P-Channel |
| Qg - заряд затвора | 68 nC |
| Время нарастания | 10 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 52 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 35 A |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 12 V, + 12 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 7.2 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 1.5V@250uA |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 38 ns |
| Типичное время задержки при включении | 12 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.2 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 33 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 35 |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 44 S |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 33 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |