Моя заявка (0)
SI7101DN-T1-GE3, MOSFETs -30V Vds 25V Vgs PowerPAK 1212-8

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004729421
Артикул
SI7101DN-T1-GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Вес, г
1
Длина
3.3 mm
Серия
SI7
Высота
1.04 mm
Цена по запросу
(от 142,41 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор -30V Vds 25V Vgs PowerPAK 1212-8

Технические параметры

Вес, г1
Длина3.3 mm
СерияSI7
Высота1.04 mm
Ширина3.3 mm
СтруктураMOSFET
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Время спада8 ns
Особенности-
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаVishay Semiconductors
Упаковка / блокPowerPAK-1212-8
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 P-Channel
Qg - заряд затвора68 nC
Время нарастания10 ns
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораP-Channel
Pd - рассеивание мощности52 W
Id - непрерывный ток утечки35 A
Коммерческое обозначениеTrenchFET
Размер фабричной упаковки3000
Vgs - напряжение затвор-исток12 V, + 12 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток7.2 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток30 V
Пороговое напряжение на затворе-25 V, +25 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения38 ns
Типичное время задержки при включении12 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1.2 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В25
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.44 S
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)21.3 mOhms

Техническая документация