Моя заявка (0)
SI6968BEDQ-T1-GE3, TSSOP-8 MOSFETs ROHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8026381162
Артикул
SI6968BEDQ-T1-GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
PPAP
No
EU RoHS
Compliant
Mounting
Surface Mount
ECCN (US)
EAR99
Цена по запросу
(от 129 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзистор MOSFET N-CH 20V 5.2A с 8-контактным разъемом TSSOP T/R

Технические параметры

PPAPNo
EU RoHSCompliant
MountingSurface Mount
ECCN (US)EAR99
PackagingTape and Reel
Pin Count8
AutomotiveNo
Lead ShapeGull-wing
Вес, г1
PCB changed8
Part StatusActive
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeTSSOP-8
ConfigurationCommon Drain
Mounting TypeSurface Mount
Product CategoryPower MOSFET
Supplier PackageTSSOP
СтруктураMOSFET
Standard Package NameSOP
Power Dissipation (Pd)1.5W
Typical Fall Time (ns)510
Typical Rise Time (ns)330
Особенности-
Total Gate Charge (Qg@Vgs)12nC@4.5V
Number of Elements per Chip2
Maximum Drain Source Voltage20 V
Continuous Drain Current (Id)6.5A
Maximum Power Dissipation (mW)1000
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)12@4.5V
Maximum Gate Source Voltage (V)±12
Typical Turn-On Delay Time (ns)245
Maximum Continuous Drain Current5.2 A
Maximum Drain Source Voltage (V)20
Typical Turn-Off Delay Time (ns)860
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Maximum Continuous Drain Current (A)5.2
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)22@4.5V
Пороговое напряжение на затворе1.6V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В20
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт1.5
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.022Ω@4.5V, 6.5A

Техническая документация