N-Channel MOSFET, 5.2 A, 20 V TSSOP-8 SI6968BEDQ-T1-E3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8034105227
- Артикул
- SI6968BEDQ-T1-E3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Вес, г
- 1
- Channel Type
- N
- Package Type
- TSSOP-8
- Configuration
- Common Drain
Цена по запросу
(от 130 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Двуxканальный моп-транзистор Vishay Semiconductor dual N-channel 2,5 В (G-S) имеет общий сток и защиту от электростатического разряда при поверxностном монтаже.
Технические параметры
| Вес, г | 1 |
| Channel Type | N |
| Package Type | TSSOP-8 |
| Configuration | Common Drain |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | N-Channel |
| Power Dissipation (Pd) | 1W |
| Особенности | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 18nC@4.5V |
| Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
| Continuous Drain Current (Id) | 5.2A |
| Maximum Continuous Drain Current | 5.2 A |
| Пороговое напряжение на затворе | 1.6V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 5.2 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 22mΩ@4.5V, 6.5A |