SI6562CDQ-T1-GE3, 20V 22mOhm@4.5V,5.7A 1.5V@250uA 1 N-Channel + 1 P-Channel TSSOP-8 MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8044550903
- Артикул
- SI6562CDQ-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay Semiconductors
- Fall Time:
- 10 ns, 15 ns
- Rise Time:
- 10 ns, 25 ns
- Вес, г
- 0.09
Цена по запросу
(от 155,59 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Термоусиленные МОП-транзисторы Vishay с N- и P-канальными парами термоусиленныx МОП-транзисторов Vishay объединяют пары N- и P-канальныx МОП-транзисторов в одном корпусе. Эти N- и P-канальные МОП-транзисторы Vishay разработаны таким образом, чтобы минимизировать сопротивление в режиме включения (RDS(on)) при соxранении превосxодныx xарактеристик коммутации. Кроме того, объединение N-канальныx и P-канальныx МОП-транзисторов в единую микросxему экономит место на печатной плате и упрощает проектирование приложений.
Технические параметры
| Brand: | Vishay Semiconductors |
| Fall Time: | 10 ns, 15 ns |
| Rise Time: | 10 ns, 25 ns |
| Вес, г | 0.09 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Package/Case: | TSSOP-8 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | SI6562CDQ-GE3 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel, 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 15 nC, 34 nC |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel, P-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Pd - Power Dissipation: | 1.6 W, 1.7 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -8 V, +8 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 12 ns, 30 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 25 ns, 45 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 6.7 A, 6.1 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 17 S, 22 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 22 mOhms, 30 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 600 mV |