SI5936DU-T1-GE3, 30V 6A 30mOhm@10V,5A 10.4W 2.2V@250uA 2 N-Channel SMD MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017600684
- Артикул
- SI5936DU-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Вес, г
- 0.12
- Channel Type
- N
- Package Type
- PowerPAK ChipFET
- Mounting Type
- Surface Mount
Цена по запросу
(от 126,13 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Полупроводниковая МОП-транзисторная матрица Vishay, 2-канальная двойная, 30 В, 6 А, 10,4 Вт, имеет поверxностный монтаж с типом корпуса PowerPak chipFet и предназначена для сетевого применения
Технические параметры
| Вес, г | 0.12 |
| Channel Type | N |
| Package Type | PowerPAK ChipFET |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | 2 N-Channel |
| Power Dissipation (Pd) | 10.4W |
| Особенности | - |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Continuous Drain Current (Id) | 6A |
| Maximum Continuous Drain Current | 6 A |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.2V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 6 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 10.4 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 30mΩ@10V, 5A |