SI5935CDC-T1-GE3, SMD-8P MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8026381236
- Артикул
- SI5935CDC-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Width
- 1.7mm
- Pin Count
- 8
- Вес, г
- 0.03
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 47,61 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Width | 1.7mm |
| Pin Count | 8 |
| Вес, г | 0.03 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Package Type | 1206 ChipFET |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | MOSFET |
| Transistor Material | Si |
| Power Dissipation (Pd) | 2W |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Isolated |
| Maximum Power Dissipation | 3.1 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 7 nC @ 5 V |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 6.2nC@5V |
| Maximum Gate Source Voltage | -8 V, +8 V |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 455pF@10V |
| Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
| Continuous Drain Current (Id) | 3.8A |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.4V |
| Maximum Drain Source Resistance | 156 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 3.8 A |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 54pF@10V |
| Пороговое напряжение на затворе | 400mV@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.1Ω@4.5V, 3.8A |