SI5935CDC-T1-E3, MOSFETs -20V Vds 8V Vgs 1206-8 ChipFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006252391
- Артикул
- SI5935CDC-T1-E3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay Semiconductors
- Вес, г
- 0.08
- Technology:
- Si
- Subcategory:
- Transistors
Цена по запросу
(от 61,04 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Brand: | Vishay Semiconductors |
| Вес, г | 0.08 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Корпус | ChipFET |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Package/Case: | ChipFET-8 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | SI5935CDC-E3 |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 11 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 3.1 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -8 V, +8 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 4 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 100 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -8 V, +8 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 8 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |