Моя заявка (0)

SI5618A-TP, Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -60V; -1.6A; Idm: -8A; 1.2W

SI5618A-TP, Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -60V; -1.6A; Idm: -8A; 1.2W

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8025871285
Артикул
SI5618A-TP
Бренд
Micro Commercial Components Corp. (MCC)
Case
SOT23
Mounting
SMD
Technology
Trench
Вес, г
0.03
Цена по запросу
(от 36,86 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

CaseSOT23
MountingSMD
TechnologyTrench
Вес, г0.03
Gate charge10.4nC
ManufacturerMICRO COMMERCIAL COMPONENTS
Polarisationunipolar
Drain current-1.6A
Kind of channelenhanced
Kind of packagereel, tape
Power dissipation1.2W
Type of transistorP-MOSFET
СтруктураN-Channel
Gate-source voltage±20V
On-state resistance0.24Ω
Drain-source voltage-60V
Pulsed drain current-8A
Особенности-
Пороговое напряжение на затворе3V@250uA
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А1.6
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт1.2
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)160mΩ@5A, 10V

Техническая документация