SI5515CDC-T1-GE3,Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 20 V, 20 V, 4 A, 4 A, 0.03 ohm
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8907964467
- Артикул
- SI5515CDC-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Series
- TrenchFET
- Pin Count
- 8
- Вес, г
- 0.5
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 140 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Двуxканальный (как P-, так и N-канальный) МОП-транзистор Vishay для поверxностного монтажа - это продукт нового поколения с напряжением сток-исток 20 В и сопротивлением сток-исток 36 Мом при напряжении затвор-исток 4.
Технические параметры
| Series | TrenchFET |
| Pin Count | 8 |
| Вес, г | 0.5 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N, P |
| Package Type | 1206 ChipFET |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | P-Channel |
| Особенности | комплементарная пара транзисторов |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 0.8V |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.05 O, 0.156 O |
| Maximum Continuous Drain Current | 4 A |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.03 Ом |