Type P, Type N-Channel MOSFET, 4 A, 20 V, 8-Pin ChipFET SI5513CDC-T1-GE3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8030793610
- Артикул
- SI5513CDC-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Вес, г
- 1
- Channel Type
- N, P
- Package Type
- 1206-8 ChipFET
- Корпус
- ChipFET
Цена по запросу
(от 123,93 ₽)
Минимальный заказ: 25 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Полупроводниковая МОП-транзисторная матрица Vishay N и P-канальная 20В 4А, 3,7 А 3,1 Вт для поверxностного монтажа 1206-8 не содержит галогенов в соответствии с определением IEC 61249-2-21.
Технические параметры
| Вес, г | 1 |
| Channel Type | N, P |
| Package Type | 1206-8 ChipFET |
| Корпус | ChipFET |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | P-Channel |
| Особенности | комплементарная пара транзисторов |
| Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
| Maximum Continuous Drain Current | 4 A |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.3 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |