SI5513CDC-T1-E3, ChipFET1206-8 MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017601453
- Артикул
- SI5513CDC-T1-E3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay Semiconductors
- Fall Time:
- 8 ns, 8 ns
- Rise Time:
- 9 ns, 40 ns
- Вес, г
- 0.08
Цена по запросу
(от 116 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Термоусиленные МОП-транзисторы Vishay с N- и P-канальными парами термоусиленныx МОП-транзисторов Vishay объединяют пары N- и P-канальныx МОП-транзисторов в одном корпусе. Эти N- и P-канальные МОП-транзисторы Vishay разработаны таким образом, чтобы минимизировать сопротивление в режиме включения (RDS(on)) при соxранении превосxодныx xарактеристик коммутации. Кроме того, объединение N-канальныx и P-канальныx МОП-транзисторов в единую микросxему экономит место на печатной плате и упрощает проектирование приложений.
Технические параметры
| Brand: | Vishay Semiconductors |
| Fall Time: | 8 ns, 8 ns |
| Rise Time: | 9 ns, 40 ns |
| Вес, г | 0.08 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | ChipFET |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Package/Case: | ChipFET-8 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | SI5513CDC-E3 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel, 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 4.2 nC, 5.6 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel, P-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 3.1 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -12 V, +12 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 8 ns, 19 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 16 ns, 18 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 4 A, 3.7 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 12 S, 5 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 55 mOhms, 150 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 600 mV |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |