N/P-Channel MOSFET, 4 A, 30 V 1206-8 ChipFET SI5504BDC-T1-GE3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8030793608
- Артикул
- SI5504BDC-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Вес, г
- 1
- Длина
- 3.05 mm
- Серия
- SI54
- Channel Type
- N, P
Цена по запросу
(от 297,08 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Моп-транзистор Vishay Semiconductor Nand P-channel 30 В (D-S) 4A, 3,7 А, 3,12 Вт, 3,1 Вт для поверxностного монтажа предназначен для использования на постоянном токе, переключателе нагрузки постоянного тока для портативныx приложений.
Технические параметры
| Вес, г | 1 |
| Длина | 3.05 mm |
| Серия | SI54 |
| Channel Type | N, P |
| Package Type | 1206-8 ChipFET |
| Высота | 1.1 mm |
| Корпус | ChipFET |
| Ширина | 1.65 mm |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | P-Channel |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 25 ns, 10 ns |
| Особенности | комплементарная пара транзисторов |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Dual |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Vishay Semiconductors |
| Упаковка / блок | ChipFET-8 |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel, 1 P-Channel |
| Qg - заряд затвора | 7 nC |
| Время нарастания | 80 ns, 60 ns |
| Maximum Continuous Drain Current | 4 A |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel, P-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 3.12 W, 3.1 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 4 A, 3.7 A |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 65 mOhms, 140 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 12 ns, 10 ns |
| Типичное время задержки при включении | 15 ns, 30 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.5 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4 |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 5 S, 3.5 S |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |