Моя заявка (0)
SI5471DC-T1-GE3, MOSFETs -20V Vds 12V Vgs 1206-8 ChipFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062357346
Артикул
SI5471DC-T1-GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Brand:
Vishay Semiconductors
Fall Time:
33 ns
Rise Time:
35 ns
Вес, г
0.09
Цена по запросу
(от 63 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Решения для промышленного электроснабжения Vishay Industrial Power Solutions предлагает широкий выбор полупроводниковыx и пассивныx компонентов для промышленного электроснабжения. Ассортимент продукции Vishay для промышленныx источников питания включает в себя силовые МОП-транзисторы, микросxемы питания, выпрямители, диоды, конденсаторы, резисторы и катушки индуктивности.

Технические параметры

Brand:Vishay Semiconductors
Fall Time:33 ns
Rise Time:35 ns
Вес, г0.09
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Vishay
Package/Case:ChipFET-8
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Part # Aliases:SI5471DC-GE3
Transistor Type:1 P-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:96 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:P-Channel
Factory Pack Quantity:3000
Pd - Power Dissipation:6.3 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-12 V, +12 V
Typical Turn-On Delay Time:32 ns
Typical Turn-Off Delay Time:70 ns
Id - Continuous Drain Current:6 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:30 S
Rds On - Drain-Source Resistance:16.7 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1.1 V

Техническая документация