SI5457DC-T1-GE3, Transistor: P-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070073455
- Артикул
- SI5457DC-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay Semiconductors
- Вес, г
- 0.01
- Technology:
- Si
- Subcategory:
- MOSFETs
Цена по запросу
(от 48 ₽)
Минимальный заказ: 100 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Brand: | Vishay Semiconductors |
| Вес, г | 0.01 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Package/Case: | ChipFET-8 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | SI5457DC-GE3 |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 38 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Pd - Power Dissipation: | 5.7 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -12 V, +12 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 6 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 56 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.4 V |