Моя заявка (0)

SI5448DU-T1-GE3, Trans MOSFET N-CH 40V 25A 8-Pin PowerPAK ChipFET T/R

SI5448DU-T1-GE3, Trans MOSFET N-CH 40V 25A 8-Pin PowerPAK ChipFET T/R

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8037298672
Артикул
SI5448DU-T1-GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
PPAP
No
EU RoHS
Compliant
Mounting
Surface Mount
ECCN (US)
EAR99
Цена по запросу
(от 69 ₽)
Минимальный заказ: 440 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальный МОП-транзистор Vishay Semiconductor для поверxностного монтажа PowerPak chipfet single. :

Технические параметры

PPAPNo
EU RoHSCompliant
MountingSurface Mount
ECCN (US)EAR99
PackagingTape and Reel
Pin Count8
AutomotiveNo
Lead ShapeNo Lead
Вес, г1
PCB changed8
Part StatusActive
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypePowerPAK ChipFET
КорпусChipFET
ConfigurationSingle Hex Drain
Mounting TypeSurface Mount
Package Width1.9
Package Length3
EDA / CAD ModelsSI5448DU-T1-GE3 by Ultra Librarian
Product CategoryPower MOSFET
Supplier PackagePowerPAK ChipFET
СтруктураN-Channel
Standard Package NameChip FET
Typical Fall Time (ns)10|33
Typical Rise Time (ns)35|60
Особенности-
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage40 V
Maximum Power Dissipation (mW)3100
Typical Gate Charge @ 10V (nC)26.2
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)26.2@10V|12.6@4.5V
Maximum Gate Source Voltage (V)20
Typical Turn-On Delay Time (ns)10|15
Maximum Continuous Drain Current25 A
Maximum Drain Source Voltage (V)40
Typical Turn-Off Delay Time (ns)15|18
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Maximum Continuous Drain Current (A)25
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)1765@20V
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)7.75@10V
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А25
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация