SI5403DC-T1-GE3, MOSFETs -30V Vds 20V Vgs 1206-8 ChipFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005512596
- Артикул
- SI5403DC-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay Semiconductors
- Fall Time:
- 12 ns
- Rise Time:
- 11 ns
- Вес, г
- 0.08
Цена по запросу
(от 127,11 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Brand: | Vishay Semiconductors |
| Fall Time: | 12 ns |
| Rise Time: | 11 ns |
| Вес, г | 0.08 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Корпус | ChipFET |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Package/Case: | ChipFET-8 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | SI5403DC-GE3 |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 28 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 6.3 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 11 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 37 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 6 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 18 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 30 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 3.3 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |