SI4948BEY-T1-E3, Транзистор MOSFET SOIC8
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8048057340
- Артикул
- SI4948BEY-T1-E3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay Semiconductors
- Series:
- SI4
- Fall Time:
- 35 ns
- Rise Time:
- 15 ns
Цена по запросу
(от 170 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые МОП-транзисторы Si4 TrenchFET® Силовые МОП-транзисторы Vishay / Siliconix Si4 TrenchFET® используются для усиления электронныx сигналов. Эти устройства доступны в N-канальном, P-канальном и N- и P-канальном исполнении. МОП-транзисторы Si4 предлагают различные варианты VGS и vdsсистем и температурные диапазоны. Силовые МОП-транзисторы Vishay / Siliconix Si4 TrenchFET работают в режиме усиления и используются для переключения между электронными сигналами. Эти МОП-транзисторы для поверxностного монтажа на 100% соответствуют требованиям RG и UIS.
Технические параметры
| Brand: | Vishay Semiconductors |
| Series: | SI4 |
| Fall Time: | 35 ns |
| Rise Time: | 15 ns |
| Tradename: | TrenchFET |
| Вес, г | 0.26 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N |
| Package Type | 8-SOIC |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOIC-8 |
| Part # Aliases: | SI4948BEY-E3 |
| Transistor Type: | 2 P-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 22 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Power Dissipation (Pd) | 1.4W |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 2.4 W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 22nC@10V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 10 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 50 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 2.4A |
| Id - Continuous Drain Current: | 3.1 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 8.5 S |
| Maximum Continuous Drain Current | 2.4 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 120 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Крутизна характеристики, S | 8.5 S |
| Пороговое напряжение на затворе | 3V@250uA |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 120mΩ@10V, 3.1A |