SI4932DY-T1-GE3, MOSFETs 30V 8.0A 3.2W 15mohm @ 10V
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004641009
- Артикул
- SI4932DY-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Вес, г
- 0.19
- Серия
- SI4
- Структура
- MOSFET
- Технология
- Si
Цена по запросу
(от 156,74 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 30V 8.0A 3.2W 15mohm @ 10V
Технические параметры
| Вес, г | 0.19 |
| Серия | SI4 |
| Структура | MOSFET |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Dual |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Vishay Semiconductors |
| Упаковка / блок | SO-8 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Qg - заряд затвора | 48 nC |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 3.2 W |
| Другие названия товара № | SI4932DY-GE3 |
| Id - непрерывный ток утечки | 8 A |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 15 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 3V@250uA |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.2 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 8 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 3.2 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 15мОм |