SI4931DY-T1-E3, Trans MOSFET P-CH 12V 6.7A 8-Pin SOIC N T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001289278
- Артикул
- SI4931DY-T1-E3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Вес, г
- 1
- Серия
- SI4
- Структура
- MOSFET
- Технология
- Si
Цена по запросу
(от 210 ₽)
Минимальный заказ: 150 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор -12V Vds 8V Vgs SO-8
Технические параметры
| Вес, г | 1 |
| Серия | SI4 |
| Структура | MOSFET |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Power Dissipation (Pd) | 1.1W |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Dual |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 52nC@4.5V |
| Торговая марка | Vishay Semiconductors |
| Упаковка / блок | SO-8 |
| Continuous Drain Current (Id) | 6.7A |
| Канальный режим | Enhancement |
| Qg - заряд затвора | 52 nC |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 2 W |
| Другие названия товара № | SI4931DY-E3 |
| Id - непрерывный ток утечки | 8.9 A |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 8 V, + 8 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 18 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 12 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 1V@350uA |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 12 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 6.7 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.1 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 18mΩ@4.5V, 8.9A |