Моя заявка (0)
нет фото

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8026381178
Артикул
SI4925DY-T1-E3-VB
Бренд
Vbsemi Electronics Co., Ltd.
Вес, г
0.14
Структура
MOSFET
Power Dissipation (Pd)
5W
Особенности
-
Цена по запросу
(от 73,51 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Вес, г0.14
СтруктураMOSFET
Power Dissipation (Pd)5W
Особенности-
Total Gate Charge (Qg@Vgs)15nC@4.5V
Input Capacitance (Ciss@Vds)1.35nF@15V
Continuous Drain Current (Id)7.3A
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)185pF@15V
Пороговое напряжение на затворе3V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт5
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)35mΩ@10V, 6.3A