Моя заявка (0)
нет фото

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8026381129
Артикул
SI4920DY-T1-E3-VB
Бренд
Vbsemi Electronics Co., Ltd.
Вес, г
0.13
Корпус
sop8
Структура
MOSFET
Power Dissipation (Pd)
3.1W
Цена по запросу
(от 43,71 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Вес, г0.13
Корпусsop8
СтруктураMOSFET
Power Dissipation (Pd)3.1W
Особенности-
Continuous Drain Current (Id)8.5A
Пороговое напряжение на затворе3V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт3.1
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)16mΩ@10V