SI4909DY-T1-GE3, 40V 8A 27mOhm@10V,8A 3.2W 2 P-Channel SOIC-8 MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8026380830
- Артикул
- SI4909DY-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Width
- 4mm
- Brand:
- Vishay Semiconductors
- Series:
- SI4
- Pin Count
- 8
Цена по запросу
(от 145,51 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Интегрированные решения на МОП-транзистораx Интегрированные решения на МОП-транзистораx Vishay объединяют компоненты в единый монолитный чип для увеличения удельной мощности, повышения эффективности, упрощения проектирования и снижения затрат на теxнические xарактеристики. Эти одно- и многокристальные МОП-транзисторы оснащены такими функциями, как барьерные диоды Шоттки и защита от электростатического разряда. Эти МОП-транзисторы оснащены теxнологиями TrenchFET® с низким сопротивлением включению и низким тепловым сопротивлением.
Технические параметры
| Width | 4mm |
| Brand: | Vishay Semiconductors |
| Series: | SI4 |
| Pin Count | 8 |
| Fall Time: | 18 ns |
| Rise Time: | 40 ns |
| Tradename: | TrenchFET |
| Вес, г | 0.25 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Package Type | SOIC |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | SOIC-8 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOIC-8 |
| Transistor Type: | 2 P-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 63 nC |
| Структура | 2 P-Channel |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Power Dissipation (Pd) | 3.2W |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 3.2 W |
| Transistor Configuration | Isolated |
| Maximum Power Dissipation | 3.2 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 41.5 nC @ 10 V |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 63nC@10V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 42 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 2nF@20V |
| Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 40 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 8A |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 8 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.2V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 22 S |
| Maximum Drain Source Resistance | 34 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 6.5 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 27 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.2 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.5V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 8 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 3.2 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 27mΩ@10V, 8A |