TrenchFET N-Channel MOSFET, 5.3 A, 60 V, 8-Pin SO-8 SI4900DY-T1-E3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8016038490
- Артикул
- SI4900DY-T1-E3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Series
- TrenchFET
- Pin Count
- 8
- Вес, г
- 1
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 120 ₽)
Минимальный заказ: 2500 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Двуxканальный силовой МОП-транзистор Vishay Siliconix серии SI4900DY TrenchFET имеет напряжение между стоком и источником 60 В.
Технические параметры
| Series | TrenchFET |
| Pin Count | 8 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | SO-8 |
| Корпус | SO-8 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | N-Channel |
| Особенности | TrenchFET |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.072 O |
| Maximum Continuous Drain Current | 5.3 A |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 5.3 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |