SI4874BDY-T1-E3, MOSFETs 30V 16A 0.007Ohm
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004641007
- Артикул
- SI4874BDY-T1-E3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- PPAP
- No
- EU RoHS
- Compliant
- Mounting
- Surface Mount
- ECCN (US)
- EAR99
Цена по запросу
(от 307 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 30V 16A 0.007Ohm
Технические параметры
| PPAP | No |
| EU RoHS | Compliant |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 8 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Вес, г | 0.29 |
| Длина | 4.9 mm |
| Серия | SI4 |
| PCB changed | 8 |
| Part Status | NRND |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Высота | 1.75 mm |
| Ширина | 3.9 mm |
| Configuration | Single Quad Drain Triple Source |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | SOIC N |
| Process Technology | TrenchFET |
| Структура | MOSFET |
| Технология | Si |
| Standard Package Name | SOP |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Typical Fall Time (ns) | 15 |
| Typical Rise Time (ns) | 10 |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Vishay Semiconductors |
| Упаковка / блок | SO-8 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 3000 |
| Qg - заряд затвора | 25 nC |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 21 4.5V |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 16 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 30 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 57 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 12 |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 7 10V |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 3 W |
| Другие названия товара № | SI4874BDY-E3 |
| Id - непрерывный ток утечки | 16 A |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 7 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 16 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.007Ом |