Моя заявка (0)
нет фото

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8026381261
Артикул
SI4866DY-T1-E3-VB
Бренд
Vbsemi Electronics Co., Ltd.
Вес, г
0.13
Структура
MOSFET
Power Dissipation (Pd)
2.5W
Особенности
-
Цена по запросу
(от 66 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Вес, г0.13
СтруктураMOSFET
Power Dissipation (Pd)2.5W
Особенности-
Total Gate Charge (Qg@Vgs)6.8nC@10V
Input Capacitance (Ciss@Vds)820pF@15V
Continuous Drain Current (Id)18A
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)73pF@15V
Пороговое напряжение на затворе1V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В