SI4850EY-T1-GE3, Транзистор силовой полевой
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8024649202
- Артикул
- SI4850EY-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand
- Vishay/Siliconix
- Width
- 4mm
- Brand:
- Vishay Semiconductors
- Series
- SI4
Цена по запросу
(от 302,01 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые МОП-транзисторы Si4 TrenchFET® Силовые МОП-транзисторы Vishay / Siliconix Si4 TrenchFET® используются для усиления электронныx сигналов. Эти устройства доступны в N-канальном, P-канальном и N- и P-канальном исполнении. МОП-транзисторы Si4 предлагают различные варианты VGS и vdsсистем и температурные диапазоны. Силовые МОП-транзисторы Vishay / Siliconix Si4 TrenchFET работают в режиме усиления и используются для переключения между электронными сигналами. Эти МОП-транзисторы для поверxностного монтажа на 100% соответствуют требованиям RG и UIS.
Технические параметры
| Brand | Vishay/Siliconix |
| Width | 4mm |
| Brand: | Vishay Semiconductors |
| Series | SI4 |
| Series: | SI4 |
| Fall Time | 12 ns |
| Packaging | Cut Tape or Reel |
| Pin Count | 8 |
| Rise Time | 10 ns |
| Tradename | TrenchFET |
| Fall Time: | 12 ns |
| Rise Time: | 10 ns |
| Technology | Si |
| Tradename: | TrenchFET |
| Вес, г | 0.14 |
| Subcategory | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | Vishay |
| Package Type | SOIC |
| Product Type | MOSFET |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration | Single |
| Manufacturer: | Vishay |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SO-8 |
| Part # Aliases | SI4850EY-GE3 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOIC-8 |
| Part # Aliases: | SI4850EY-GE3 |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 18 nC |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 18 nC |
| Number Of Channels | 1 Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity | 2500 |
| Pd - Power Dissipation | 3.3 W |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 3.3 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 3.3 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 18 nC @ 10 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 10 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 10 ns |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-Off Delay Time | 25 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 10 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 25 ns |
| Id - Continuous Drain Current | 8.5 A |
| Maximum Operating Temperature | +175 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Forward Transconductance - Min | 25 S |
| Id - Continuous Drain Current: | 8.5 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 25 S |
| Maximum Drain Source Resistance | 47 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 8.5 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 22 mOhms |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 22 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs Th - Gate-Source Threshold Voltage | 1 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.018 Ом |