SI4850EY-T1-E3, Диод защитный SOIC8
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017546359
- Артикул
- SI4850EY-T1-E3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Case
- SO8
- Q(g)
- 27 nC
- V(DS)
- 60 V
- P(tot)
- 3.3 W
Цена по запросу
(от 467 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Case | SO8 |
| Q(g) | 27 nC |
| V(DS) | 60 V |
| P(tot) | 3.3 W |
| Package | SO-8 |
| Mounting | SMD |
| Packaging | REEL |
| Automotive | NO |
| Technology | TrenchFET® |
| Вес, г | 0.27 |
| Gate charge | 27nC |
| Logic level | YES |
| RoHS Status | RoHS-conform |
| Manufacturer | VISHAY |
| Polarisation | unipolar |
| Configuration | N-CH |
| Drain current | 8.5A |
| RDS(on)at 10V | 22 mOhm |
| Fast bodydiode | NO |
| I(D)at Tc=25°C | 8.5 A |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Power dissipation | 3.3W |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Gate-source voltage | ±20V |
| On-state resistance | 47mΩ |
| Drain-source voltage | 60V |
| Pulsed drain current | 40A |
| Особенности | - |
| Пороговое напряжение на затворе | -1.3…-2.3 В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 3.3 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |